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產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱(chēng)：THERMOCERA日本晶圓級(jí)石墨烯合成器

  • 產(chǎn)品型號(hào)：nanoCVD-WG
  • 產(chǎn)品廠商：THERMOCERA日本K.K
  • 產(chǎn)品文檔：
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簡(jiǎn)單介紹：
晶圓尺寸的熱CVD/等離子CVD系統(tǒng) 基板尺寸：Φ3inch或Φ4inch ? 型號(hào)。 nanoCVD-WG （熱CVD） ? 型號(hào)。 nanoCVD-WGP（等離子CVD）
詳情介紹：

nanoCVD-WG“CVD法”（化學(xué)氣相沉積）

CVD法是一種穩(wěn)定的技術(shù)，已經(jīng)建立起來(lái)用于多種用途，是未來(lái)考慮石墨烯和碳納米管大規(guī)模合成時(shí)*現(xiàn)實(shí)的方法。 開(kāi)發(fā)商Moorfield Nanotechnology與英國(guó)國(guó)家研究所合作，反復(fù)驗(yàn)證了這種沉積實(shí)驗(yàn)裝置。 在研究機(jī)構(gòu)的合作下，已經(jīng)驗(yàn)證了利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數(shù)據(jù)可以生產(chǎn)出高質(zhì)量的石墨烯和CNT Mr./Ms.。
 

nanoCVD-WPG“等離子體增強(qiáng)型CVD”

反應(yīng)迅速，雜質(zhì)被抑制。 它是一種更快、高通量的CVD合成方法，可在等離子體的幫助下獲得清潔、高質(zhì)量的石墨烯。

特征

 

  • 緊湊型設(shè)計(jì)：590 （W） x 590 （D） x 1050 （H） mm
  • Φ3英寸或Φ4英寸晶圓級(jí)石墨烯合成
  • 13.56MHz RF 150W 等離子電源（典型值）
  • PCB加熱階段 *大1100°C
  • 冷壁法熱CVD
  • 全自動(dòng)PLC自動(dòng)順序控制
  • 用戶(hù)友好的 7 英寸觸摸屏 HMI
  • 多沉積配方配準(zhǔn)，手動(dòng)/自動(dòng)操作

參考規(guī)格

*本設(shè)備為定制產(chǎn)品。 我們將在討論規(guī)格后提出建議。
以下設(shè)備配置僅供參考。

A. 主要規(guī)格

1.反應(yīng)室室

適用于 MiniLab-026 26l 容積 SUS304 水冷式

2.加熱階段

陶瓷（氧化鋁或氮化鋁，BN）

3. 對(duì)應(yīng)樣本量

Φ3英寸或Φ4英寸

4.加熱階段（帶隔熱罩）

C/C復(fù)合或SiC涂層加熱器 *高1100°C

5.溫度控制

包括K型熱電偶標(biāo)準(zhǔn)（安裝在加熱階段下方）

 

B. 過(guò)程控制設(shè)備規(guī)格

1.氣體控制

多達(dá) 4 個(gè)質(zhì)量流量控制器（Ar、H2、CH4 等）

2.壓力控制

20托爾 F.S.

3.真空排氣

Edwards 渦輪分子泵 nEXT85D

包括 Edwards 干渦旋泵 nXDS10i（10m3/hr）

4.操作面板

前置 7 英寸觸摸屏

5.風(fēng)冷

用于機(jī)柜內(nèi)部冷卻的冷卻風(fēng)扇

6.控制系統(tǒng)

PLC自動(dòng)過(guò)程控制

 

C. 軟件（標(biāo)準(zhǔn)附件）

1. IntelliDep nanoCVD 軟件

包括標(biāo)準(zhǔn)（安裝石墨烯的標(biāo)準(zhǔn)程序）

2. 接口

USB 2.0 連接

3. 設(shè)置數(shù)量

*多可編程和保存 30 個(gè)配方，30 個(gè)步驟

4. 用于 Windows PC 連接的 IntelliLink 遠(yuǎn)程軟件

 

D. 進(jìn)氣口連接規(guī)格

1. 工藝氣體

3 x Ar、H2、CH4 1/4“ 世偉洛克管連接

2.載氣

N2，或氬φ6mm推鎖管連接 x 1

 

E. **裝置

1.過(guò)熱

由加熱級(jí)安裝熱電偶控制

2. 機(jī)柜內(nèi)部過(guò)熱

從內(nèi)部熱開(kāi)關(guān)

3.氣壓異常

來(lái)自質(zhì)量流量控制器

4.降低真空度

來(lái)自真空傳感器

 

F. 公用事業(yè)

權(quán)力

AC200V 單相 50/60Hz 13A

1. 工藝氣體壓力

*大 30psi 200sccm

2.載氣壓力

60-80磅/平方英寸

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