產(chǎn)品特性和功能

1分單點(diǎn)測(cè)量

非接觸式非接觸式

只需與方便的探頭進(jìn)行簡(jiǎn)單接觸，即可進(jìn)行電阻測(cè)量。

• 在電阻率和薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
• 通過(guò) JOG 刻度盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件
• 帶連接器連接的電阻測(cè)量探頭可互換，電阻范圍很廣（*多可使用 2 個(gè)電阻探頭 + PN 判斷探頭）

測(cè)量目標(biāo)

• 半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、碳化硅等）
• 新型功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
• 化合物半導(dǎo)體（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
• 其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）

目標(biāo)大小

無(wú)論 Mr/Ms 的尺寸或形狀如何，都可以測(cè)量（但是，大于 20 毫米的φ并且具有平坦的表面）

測(cè)量范圍

[電阻率] 1m~200Ω?cm
（*所有探頭類(lèi)型的總量程/500um厚度）
[片狀電阻] 10m~3kΩ/sq
（*所有探頭類(lèi)型的總量程）

*每種探頭類(lèi)型的測(cè)量范圍請(qǐng)參考以下內(nèi)容。
（1）低：0.01~0.5Ω/□（0.001~0.05Ω·cm）
（2）中：0.5~10Ω/□（0.05~0.5Ω·cm）
（3）高：10~1,000Ω/□（0.5~60Ω·cm）
（4）S-高：1,000~3,000Ω/ □（60~200Ω·cm）
（5）太陽(yáng)能片：5~500Ω/□（0.2~15Ω·cm）

產(chǎn)品尺寸

• 機(jī)身：W255×D275×H95mm，4kg
• 探頭部分：20mmΦ×80mm