產(chǎn)品特性和功能

多點(diǎn)多點(diǎn)測(cè)量

非接觸式非接觸式

電腦和軟件

全自動(dòng)全自動(dòng)型

電阻率、平坦度（厚度）和PN判斷均為全自動(dòng)非接觸式測(cè)量。

• 電阻率采用渦流法，平坦度采用電容法。
• 適用于硅晶圓、GaP 和 InP 等化合物半導(dǎo)體的生產(chǎn)控制
• 具有溫度補(bǔ)償功能的溫度計(jì)（硅片）
• 磁帶的數(shù)量可以根據(jù)您的要求而多

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 半導(dǎo)體和太陽能電池材料（硅、多晶硅、碳化硅等）
• 化合物半導(dǎo)體（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）

目標(biāo)大小

3~8寸

測(cè)量范圍

[電阻率] 1m~200Ω·cm （*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[片狀電阻] 10m~3kΩ/s （*所有探頭類型的總量程）
[厚度] 150~1,200μm

*每種探頭類型的測(cè)量范圍請(qǐng)參考以下內(nèi)容。
（1）低：0.01~0.5Ω/□（0.001~0.05Ω·cm）
（2）中：0.5~10Ω/□（0.05~0.5Ω·cm）
（3）高：10~1,000Ω/□（0.5~60Ω·cm）
（4）S-高：1,000~3,000Ω/ □（60~200Ω·cm）