TSI美國進(jìn)口 納米顆粒液體顆粒監(jiān)測(cè)儀 NANO-LPM10

TSI美國進(jìn)口 納米顆粒液體顆粒監(jiān)測(cè)儀 NANO-LPM10

Nano LPM 系統(tǒng)
型號(hào)：納米 LPM10在半導(dǎo)體超純水 （UPW） 中提供真正的 10 nm 納米顆粒檢測(cè)。
產(chǎn)品詳情
TSI Nano LPM? 系統(tǒng)（納米顆粒液體顆粒監(jiān)測(cè)儀）用于檢測(cè)半導(dǎo)體超純水 （UPW） 中的真正 10 納米 （nm） 納米顆粒。Nano LPM 提供對(duì) UPW 質(zhì)量的持續(xù)監(jiān)控，使工程和質(zhì)量控制人員能夠自信地做出實(shí)時(shí)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的決策。
應(yīng)對(duì) UPW 監(jiān)測(cè)挑戰(zhàn)
超純水用于清潔晶圓和設(shè)備，以及在半導(dǎo)體工藝中蝕刻和去除污染物，以確保高質(zhì)量生產(chǎn)。小至 10 nm 的顆粒會(huì)影響產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量，因此納米顆粒的實(shí)時(shí)檢測(cè)至關(guān)重要。行業(yè)挑戰(zhàn)在于，由于顆粒材料的折射率問題和微氣泡的干擾，傳統(tǒng)的基于光學(xué)的技術(shù)難以檢測(cè) 20 nm 以下的任何納米顆粒，這可能導(dǎo)致讀數(shù)錯(cuò)誤和不一致。TSI 的納米 LPM? 系統(tǒng)通過可靠地檢測(cè)低至 10 nm 的納米顆粒來克服這些挑戰(zhàn)，提供一致、實(shí)時(shí)的洞察力，這對(duì)于檢測(cè) UPW 質(zhì)量的任何變化至關(guān)重要。
**技術(shù) — 霧化顆粒
Nano LPM 通過在 10 nm 處提供可靠、一致和準(zhǔn)確的顆粒監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，為 UPW 納米顆粒監(jiān)測(cè)樹立了新標(biāo)準(zhǔn)。Nano LPM? 系統(tǒng)使用獲得**的粒子發(fā)生器，在干燥留下固體納米顆粒的液滴之前，該發(fā)生器會(huì)對(duì) UPW 進(jìn)行霧化處理。然后使用專為潔凈室環(huán)境設(shè)計(jì)的納米 LPM 水基冷凝粒子計(jì)數(shù)器 （CPC） 分析納米顆粒。
主要優(yōu)勢(shì)
TSI Nano LPM? 系統(tǒng)提供了多種**功能，以應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體制造商面臨的挑戰(zhàn)：
使半導(dǎo)體制造商能夠在產(chǎn)品質(zhì)量受到影響之前采取主動(dòng)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型行動(dòng)，確保低至 10 nm 的可靠檢測(cè)
使用更能代表 UPW 污染的二氧化硅尺寸標(biāo)準(zhǔn)品進(jìn)行校準(zhǔn)
使用多臺(tái)儀器時(shí)可重復(fù)的 10 nm 測(cè)量 — 對(duì)于維護(hù)過程控制和在多個(gè)位置表征過程至關(guān)重要
確保可靠的性能 — 由于相對(duì)折射率的差異，或氣泡和光學(xué)表面污染造成的錯(cuò)誤計(jì)數(shù)，顆粒檢測(cè)不會(huì)產(chǎn)生不確定性。
專為半導(dǎo)體和潔凈室環(huán)境而設(shè)計(jì) — Nano LPM CPC 利用 UPW 作為工作流體，確保其不是污染源
使用機(jī)載進(jìn)樣口對(duì)儀器靈敏度和響應(yīng)率進(jìn)行獨(dú)特的現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證
安裝位置
查看應(yīng)用說明 CC-133：TSI Nano LPM 系統(tǒng)的 UPW 監(jiān)測(cè)位置（查看美國 |查看 A4）了解半導(dǎo)體制造廠 （FAB） 中安裝的各種監(jiān)控位置，以使用 Nano LPM? 系統(tǒng)增強(qiáng)過程控制。