CMP設備，即化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization）設備，是一種用于半導體制造、光學元件加工和材料科學領域的高精度表面處理設備。CMP技術通過化學腐蝕和機械研磨的結合，實現對材料表面的全局平坦化處理，是半導體晶圓制造中不可或缺的關鍵工藝之一。

工作原理

CMP設備的核心工作原理是利用化學腐蝕和機械研磨的協(xié)同作用，去除材料表面的不平整部分。具體過程如下：

化學作用：拋光液中的化學試劑與材料表面發(fā)生反應，生成一層易于去除的軟化層。

機械作用：拋光墊在壓力下旋轉，通過磨料顆粒的摩擦作用去除軟化層，實現表面平坦化。

清洗與干燥：拋光完成后，通過清洗和干燥步驟去除殘留的拋光液和顆粒，確保表面潔凈。

主要組成部分

拋光頭：用于固定晶圓并施加壓力，確保均勻拋光。

拋光墊：安裝在旋轉平臺上，與晶圓表面接觸并實現研磨。

拋光液輸送系統(tǒng)：用于輸送含有化學試劑和磨料的拋光液。

清洗模塊：用于拋光后晶圓的清洗和干燥。

控制系統(tǒng)：實現設備運行的自動化控制和工藝參數調節(jié).