欧美丰满熟妇BBBBBB,人c交zoozooxx全过程,疯狂做受XXXX高潮欧美日本,久久精品国产亚洲AV麻豆长发

文章詳情

VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝

日期：2025-05-01 04:51
瀏覽次數(shù)：617
摘要： VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝 電子封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護芯片和增強導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，對于很多集成電路產(chǎn)品而言，封裝技術(shù)是非常關(guān)鍵的一環(huán)。 隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等概念深入人心，系統(tǒng)級封裝器件的需求急劇上升，帶動各下游應(yīng)用領(lǐng)域。電子器件是非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝...

VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝

電子封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護芯片和增強導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，對于很多集成電路產(chǎn)品而言，封裝技術(shù)是非常關(guān)鍵的一環(huán)。


隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等概念深入人心，系統(tǒng)級封裝器件的需求急劇上升，帶動各下游應(yīng)用領(lǐng)域。電子器件是非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝過程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程進行全場監(jiān)測與分析，這樣才能從多個角度去探究缺陷產(chǎn)生的原因。


VIC-3D 非接觸全場測量系統(tǒng)作為研究電子封裝失效分析的重要測量工具，廣泛應(yīng)用于電子元器件裝配、引線鍵合、芯片 FCB（倒裝焊） 等電子封裝領(lǐng)域測試分析。


案例一 | 元器件引腳緊固方式和緊固工藝的可靠性及熱效應(yīng)分析


試驗背景：在電路板裝配重要元器件過程中，緊固順序和扭矩大小的不同都會對元器件，特別是在元器件引腳部位產(chǎn)生裝配應(yīng)力和變形。由此，產(chǎn)品在使用和長時間工作過程中，元器件引腳因為疲勞或裝配應(yīng)力、蠕變，造成無法工作。 因此元器件引腳緊固方式和緊固工藝的可靠性及熱效應(yīng)分析非常重要。 


如下圖所示，在不同扭矩作用下元器件應(yīng)變分布特性：


▲10NM扭矩*大主應(yīng)變   ▲未緊固螺栓原器件周圍分布

▲20NM扭矩*大主應(yīng)變   ▲15NM扭矩*大主應(yīng)變

▲ 不同緊固順序下元器件應(yīng)變分布特性


研究內(nèi)容及關(guān)鍵點：

?? 緊固螺栓應(yīng)變影響范圍：0—8mm ；2mm 處2000個微應(yīng)變（*大應(yīng)變），8mm處只有10幾個微應(yīng)變，應(yīng)變梯度下降快。普通應(yīng)變片直接覆蓋了整個階梯下降區(qū)域，無法測量緊固過程中的應(yīng)變分布變化。


?? VIC-3D 應(yīng)變云圖可直接作為緊固方式以及緊固工藝選擇依據(jù)；



?? 可通過 VIC-3D 系統(tǒng)獲取的應(yīng)變和應(yīng)變速率變化，直接給出故障診斷依據(jù)；



?? 元器件引腳熱效應(yīng)分析——元器件裝配工藝篩選高加速壽命分析，通過 VIC-3D 測試引腳部位應(yīng)變集中判斷元器件的熱效應(yīng)變形分布； 

案例二 | Intel 元器件引腳不同溫度加載測試



試驗背景：電子元器件在使用過程中會出現(xiàn)發(fā)熱，發(fā)熱和冷卻過程可視為熱疲勞過程。不同溫度載荷下元器件展現(xiàn)出不同應(yīng)變分布特性和位移特性，采用 VIC-3D 系統(tǒng)可直接觀測元器件在不同溫度變化過程中其引腳出現(xiàn)應(yīng)變集中和失效形式。由于電子元器件在顯微鏡和SEM下，圖像具有很大的光學(xué)畸變和失真，對實驗結(jié)果產(chǎn)生誤差。VIC-3D 系統(tǒng)磚利的光學(xué)畸變校正算法可**解決在顯微鏡和 SEM下圖像的光學(xué)畸變和失真。VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝


▲引腳區(qū)域變形測試圖

▲引腳區(qū)域消除光學(xué)畸變前后的應(yīng)變與位移分布云圖



▲引腳區(qū)域消除光學(xué)畸變前后應(yīng)變分布曲線


研究內(nèi)容及關(guān)鍵點：

?? VIC-3D 系統(tǒng)磚利的光學(xué)畸變校正算法可**解決在顯微鏡和 SEM 下圖像的光學(xué)畸變；

?? VIC-3D 系統(tǒng)可通過應(yīng)變云圖直接提取溫度疲勞載荷過程中影響區(qū)域的分布特性，作為引線鍵合失效判定依據(jù)；

?? VIC-3D 系統(tǒng)應(yīng)變分析數(shù)據(jù)結(jié)果?，可直接用于不同材料熱膨脹系數(shù)判斷依據(jù)；

?? 可直接測量 PCB 和引腳部位截面熱效應(yīng)，直接測量熱變形引起的開膠等失效位置和應(yīng)變梯度；VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝



案例三 | 芯片 FCB （倒裝焊）熱效應(yīng)分析


試驗背景：樹脂開裂是芯片和基板等電子封裝中常見的失效形式。硅板和基板采用200℃高溫加熱焊接。然而，硅片與有機層壓板之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配導(dǎo)致層壓板中有大量殘余應(yīng)力。元器件在工作狀態(tài)中會產(chǎn)生熱疲勞，以及芯片和基板長時間工作產(chǎn)生低周疲勞，*終破壞層合板的回路，導(dǎo)致元器件不能正常運行。由此，芯片封裝中硅片、基板以及粘結(jié)膠熱膨脹系數(shù)測量，和 FCB 等封裝焊點的應(yīng)變集中、熱效應(yīng)測試至關(guān)重要。VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝
 
▲元器件熱壓倒裝焊封裝示意圖
▲ 熱壓倒裝焊測量
▲ 倒角位置熱效應(yīng)分析 

VIC-3D系統(tǒng)在封裝工藝測試應(yīng)用：可直接測量封裝材料熱膨脹系數(shù)，其測量過程中VIC-3D 光學(xué)畸變磚利技術(shù)和特有溫度梯度引起光線折射消除方案為測試精度提供**保證。VIC-3D系統(tǒng)可直接測量芯片封裝中，硅片、粘結(jié)層以及基板等熱變形效應(yīng)。測量芯片粘結(jié)關(guān)鍵位置力學(xué)特性，如三點彎測試，斷裂失效應(yīng)變分布和應(yīng)變集中位置。VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝

京公網(wǎng)安備 11030102010384號