產(chǎn)品特性和功能

多點多點測量

非接觸式非接觸式

電腦和軟件

全自動全自動型

電阻率、厚度和 PN 判斷的全自動非接觸式測量

• 電阻率采用渦流法，厚度采用電容法。
• 適用于硅晶圓、GaP 和 InP 等化合物半導體的生產(chǎn)控制
• 具有溫度補償功能的溫度計（硅片）
• 磁帶的數(shù)量可以根據(jù)您的要求而多

※可選：額外安裝晶圓平整度測量儀（FLA-200）

測量規(guī)格

測量目標

• 半導體和太陽能電池材料（硅、多晶硅、碳化硅等）
• 化合物半導體（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）

目標大小

3~8寸

測量范圍

[電阻率] 1m~200Ω·cm （*所有探頭類型的總量程/500um厚度）
[片狀電阻] 10m~3kΩ/sq （*所有探頭類型的總量程）
[厚度] 300~1,200μm

*每種探頭類型的測量范圍請參考以下內(nèi)容。
（1）低：0.01~0.5Ω/□（0.001~0.05Ω·cm）
（2）中：0.5~10Ω/□（0.05~0.5Ω·cm）
（3）高：10~1,000Ω/□（0.5~60Ω·cm）
（4）S-高：1,000~3,000Ω/ □（60~200Ω·cm）