產(chǎn)品特性和功能

多點(diǎn)多點(diǎn)測(cè)量

非接觸式非接觸式

電腦和軟件

全自動(dòng)全自動(dòng)型

非接觸式渦流法。 測(cè)量無(wú)損壞

• 適用于硅晶圓、GaP 和 InP 等化合物半導(dǎo)體的生產(chǎn)控制
• 電阻測(cè)量?jī)x
  ，種類繁多，有多種類型的非接觸式探頭（探頭數(shù)量和探頭類型可根據(jù)要求更改）
• 從 8 mm 的邊緣進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量
• 測(cè)量模式可編程和 2-D/3-D 映射軟件
• 配備一個(gè)盒式工作站，提高工作效率（測(cè)量后存放在同一槽中）

※可選：配備額外的晶圓厚度測(cè)量探頭

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、碳化硅等）
• 化合物半導(dǎo)體（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）

目標(biāo)大小

3~8寸

測(cè)量范圍

[電阻率] 1m~200Ω·cm （*所有探頭類型的總量程/500um厚度）
[片狀電阻] 10m~3kΩ/sq （*所有探頭類型的總量程）
[厚度] 150~1,200μm

*每種探頭類型的測(cè)量范圍請(qǐng)參考以下內(nèi)容。
（1）低：0.01~0.5Ω/□（0.001~0.05Ω·cm）
（2）中：0.5~10Ω/□（0.05~0.5Ω·cm）
（3）高：10~1,000Ω/□（0.5~60Ω·cm）
（4）S-高：1,000~3,000Ω/ □（60~200Ω·cm）