用于薄膜評(píng)估的熒光 X 射線分析儀
一個(gè)單元涵蓋了從Be到U的所有元素，包括作為半導(dǎo)體材料很重要的B、C、N和O。
波長色散X射線熒光光譜儀（WDX）的**型號(hào)
采用具有高信噪比和高分辨率的WDX，與能量色散X射線熒光光譜儀（EDX）相比，可實(shí)現(xiàn)高精度分析。 。使用高功率X射線管和專門為超輕元素設(shè)計(jì)的分光晶體，可以測(cè)量B、C、N和O等超輕元素，這是EDX無法實(shí)現(xiàn)的。此外，即使是由于Si的影響而難以用EDX分析的超薄Al膜，也可以使用高分辨率的WDX清晰地分離出峰。
夠測(cè)量超輕元素
我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了B的高靈敏度分析，B用于通用存儲(chǔ)器和磁頭等磁性材料。使用FP法，還可以同時(shí)分析膜厚和成分。

可進(jìn)行超薄膜分析
MRAM 的重要材料 MgO 膜中，可以高精度地區(qū)分 0.1 nm 的膜厚差異。預(yù)計(jì)未來薄膜將變薄至 0.5 nm 左右，但 AZX 400 將能夠進(jìn)行足夠的分析。
多層薄膜分析
AZX 400 使用 FP 方法對(duì)*多 10 層的層壓薄膜進(jìn)行全層分析。利用 STT-MRAM，可以在一種配方中分析 MgO 和 CoFeB 等重要薄膜以及 Ta、Ru、PtMn 等。

使用靈敏度庫進(jìn)行無標(biāo)準(zhǔn)分析 
使用 SQX 軟件（可選）進(jìn)行半定量分析對(duì)于難以制備標(biāo)準(zhǔn)樣品的應(yīng)用非常有效?？紤]到晶圓分析特有的干擾衍射線的影響，并且可以選擇多個(gè)光譜，從而可以分析比傳統(tǒng)方法寬一個(gè)數(shù)量級(jí)的膜厚。
兼容各種樣品形狀，從大型樣品到切割晶圓，
大型樣品室可支持*大 φ400mm x 50(H)mm 的樣品尺寸（*大重量 30kg）。為了適應(yīng)各種樣品形狀，我們提供適合樣品的適配器。從300mm晶圓的大型濺射靶材到晶圓切割，一臺(tái)機(jī)器即可靈活處理。

帶晶圓裝載機(jī)的自動(dòng)傳輸（新功能）
可從 300mm FOUP 到 100mm 開放式晶圓盒（可選）。可以在夜間等進(jìn)行全自動(dòng)分析，提高分析工作的效率。
配備用于樣品觀察的 CCD 相機(jī)
CCD 相機(jī)（可選）可以測(cè)量異物、圖案等。您可以在查看圖像時(shí)設(shè)置*小直徑為 0.5 mm 的任意測(cè)量點(diǎn)。面內(nèi)分布測(cè)量一次*多支持 999 個(gè)點(diǎn)。此外，結(jié)合高精度樣品臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了0.1mm步長的分析。