CMP設(shè)備，即化學(xué)機械拋光（Chemical Mechanical Planarization）設(shè)備，是一種用于半導(dǎo)體制造、光學(xué)元件加工和材料科學(xué)領(lǐng)域的高精度表面處理設(shè)備。CMP技術(shù)通過化學(xué)腐蝕和機械研磨的結(jié)合，實現(xiàn)對材料表面的全局平坦化處理，是半導(dǎo)體晶圓制造中不可或缺的關(guān)鍵工藝之一。

工作原理

CMP設(shè)備的核心工作原理是利用化學(xué)腐蝕和機械研磨的協(xié)同作用，去除材料表面的不平整部分。具體過程如下：

化學(xué)作用：拋光液中的化學(xué)試劑與材料表面發(fā)生反應(yīng)，生成一層易于去除的軟化層。

機械作用：拋光墊在壓力下旋轉(zhuǎn)，通過磨料顆粒的摩擦作用去除軟化層，實現(xiàn)表面平坦化。

清洗與干燥：拋光完成后，通過清洗和干燥步驟去除殘留的拋光液和顆粒，確保表面潔凈。

主要組成部分

拋光頭：用于固定晶圓并施加壓力，確保均勻拋光。

拋光墊：安裝在旋轉(zhuǎn)平臺上，與晶圓表面接觸并實現(xiàn)研磨。

拋光液輸送系統(tǒng)：用于輸送含有化學(xué)試劑和磨料的拋光液。

清洗模塊：用于拋光后晶圓的清洗和干燥。

控制系統(tǒng)：實現(xiàn)設(shè)備運行的自動化控制和工藝參數(shù)調(diào)節(jié).