內(nèi)置集成全自動(dòng) VPD 功能

超痕量分析*高可達(dá) Na~U。 VPD-TXRF 的檢出限 （LLD） 為 Al 的 108 個(gè)水平和過(guò)渡金屬的 106 個(gè)水平。 從 VPD 預(yù)處理到 TXRF 測(cè)量，它是全自動(dòng)的。 它還具有斜面恢復(fù) VPD 功能。

1 個(gè)靶標(biāo)、3 個(gè)光束系統(tǒng)

這是理學(xué)的一種**方法，它使用三種類型的光譜晶體來(lái)提取被測(cè)元素的*佳單色 X 射線束，并將其用于激發(fā)污染元素。 用于輕元素測(cè)量的 W-Mα 射線不會(huì)激發(fā) Si，因此可以分析 Na、Mg 和 Al。 從 Na~U 連續(xù)進(jìn)行高精度自動(dòng)分析。

通過(guò)去除衍射線將散線的影響降至*低

它使用抑制高階反射的光學(xué)系統(tǒng)和 X-Y-theta 驅(qū)動(dòng)平臺(tái)，自動(dòng) X 射線入射方向選擇功能消除了基板上的衍射線，并以*小的散射射線干擾實(shí)現(xiàn)高 S/N 測(cè)量。 可以對(duì)整個(gè)晶圓表面進(jìn)行準(zhǔn)確和高精度的痕量分析。

可以與異物檢查坐標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行坐標(biāo)聯(lián)動(dòng)。

異物檢查裝置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)可以導(dǎo)入 TXRF 系統(tǒng)，并且可以對(duì)顆粒存在點(diǎn)進(jìn)行污染元素分析。 滴灌跟蹤搜索功能使用獨(dú)特的算法，需要快速準(zhǔn)確的坐標(biāo)。

晶圓表面的高速污染物篩選 “Sweeping-TXRF function”

Sweeping-TXRF 方法可用于使用直接 TXRF 方法高速測(cè)量晶圓表面的內(nèi)部，并闡明污染元素的分布狀態(tài)。 整個(gè)晶圓表面的污染分析是在短時(shí)間內(nèi)完成的，而代表性坐標(biāo)測(cè)量（如平面中的 5 或 9 個(gè)點(diǎn)）無(wú)法捕獲。 300mm 晶圓整個(gè)表面的 5×1010 原子/厘米2 污染物檢測(cè)可在短短 50 分鐘內(nèi)完成。 除了污染物元素的分布外，還可以通過(guò)整合整個(gè)表面的測(cè)量值來(lái)計(jì)算晶圓表面的平均污染物濃度。

邊緣排除 0mm 無(wú)損和非接觸式污染測(cè)量 “ZEE-TXRF 功能”

我們已經(jīng)在晶圓邊緣附近實(shí)現(xiàn)了高靈敏度測(cè)量，這是迄今為止TXRF方法無(wú)法測(cè)量的。 現(xiàn)在可以使用 TXRF 在污染集中的邊緣進(jìn)行污染分析。

晶圓背面的全自動(dòng)測(cè)量 “BAC-TXRF 功能”

EFEM 中安裝了晶圓翻轉(zhuǎn)機(jī)器人，實(shí)現(xiàn)無(wú)人化和全自動(dòng)的 300mm 晶圓背面污染測(cè)量。 當(dāng)與 ZEE-TXRF 功能結(jié)合使用時(shí)，可以對(duì)晶圓的每個(gè)部分進(jìn)行**的污染分析和評(píng)估。

SDSA 滴灌搜索功能

它配備了 SDSA 功能（Square Drop Search Algorism），可在 VPD 收集后快速準(zhǔn)確地搜索污染和干燥痕跡的位置坐標(biāo)。

兼容 300mm Fab

配備 Fab 的標(biāo)準(zhǔn) FOUP/SMIF 接口，兼容 300mm/200mm 晶圓。 此外，它還支持各種 AMHS，并通過(guò)支持主機(jī)和 SECS/GEM 協(xié)議來(lái)支持 CIM/FA。